JMSH0802MC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH0802MC
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 179 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 249 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1760 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для JMSH0802MC
JMSH0802MC Datasheet (PDF)
jmsh0802mc.pdf

80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802MCProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 249 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jmsh0802me.pdf

80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802MEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 254 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-2
jmsh0802mtl.pdf

80V, 285A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802MTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 80 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 285 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power Mana
jmsh0802pe.pdf

80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0802PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 80 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 263 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263 -3L S
Другие MOSFET... JMSH040SPG , JMSH040SPGQ , JMSH040SPTSQ , JMSH0702PE , JMSH0704PC , JMSH0704PE , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , IRF9540N , JMSH0802ME , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC , JMSH1101PE , JMSH1101PE7 , JMSH1101PTL .
History: JMH65R110APLNFD | JMSH1001NE
History: JMH65R110APLNFD | JMSH1001NE



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MP20N40P | MP18N20 | MP180N06P | MP150N08P | MP11P20 | MLS65R580D | MLS65R380D | MLS60R380D | MDT9N20 | MDT7N65 | MDT70N03 | MDT60NF06D | MDT60N10D | MDT60N06D | MDT5N65 | MPG100N08P
Popular searches
tip36c datasheet | 2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644