JMSH0802ME - описание и поиск аналогов

 

JMSH0802ME - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0802ME
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 254 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1760 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0025 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH0802ME

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0802ME технические параметры

 ..1. Size:1609K  jiejie micro
jmsh0802me.pdfpdf_icon

JMSH0802ME

80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 254 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2

 5.1. Size:1271K  jiejie micro
jmsh0802mc.pdfpdf_icon

JMSH0802ME

80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 249 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 5.2. Size:1129K  jiejie micro
jmsh0802mtl.pdfpdf_icon

JMSH0802ME

80V, 285A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 285 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana

 6.1. Size:1252K  jiejie micro
jmsh0802pe.pdfpdf_icon

JMSH0802ME

80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 263 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L S

Другие MOSFET... JMSH040SPGQ , JMSH040SPTSQ , JMSH0702PE , JMSH0704PC , JMSH0704PE , JMSH0801PE , JMSH0801PTL , JMSH0802MC , K4145 , JMSH0802MTL , JMSH0802PE , JMSH0802PTL , JMSH1101PC , JMSH1101PE , JMSH1101PE7 , JMSH1101PTL , JMSH1102QC .

 

 
Back to Top

 


 
.