JMSH0802MTL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH0802MTL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 310 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 285 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1760 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
Тип корпуса: TOLL
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH0802MTL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH0802MTL даташит
jmsh0802mtl.pdf
80V, 285A, 1.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 80 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 285 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana
jmsh0802mc.pdf
80V, 249A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802MC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 249 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22
jmsh0802me.pdf
80V, 254A, 1.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802ME Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 254 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-2
jmsh0802pe.pdf
80V, 263A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0802PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 80 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 263 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263 -3L S
Другие IGBT... JMSH040SPTSQ, JMSH0702PE, JMSH0704PC, JMSH0704PE, JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, SPP20N60C3, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM628D | NDB6020 | APT6045SVFRG | SI7540DP | HUF75321D3 | APT60M80L2VFRG | IRF8707GPBF
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913





