JMSH1101PC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1101PC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 166 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH1101PC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1101PC даташит
jmsh1101pc.pdf
110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 166 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
jmsh1101pe7.pdf
110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 303 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic D
jmsh1101pe.pdf
110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana
jmsh1101ptl.pdf
110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Ma
Другие IGBT... JMSH0704PE, JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, 20N50, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, JMSH1102TE
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: SI7366DP | IXFK64N60P | AGM30P35S | HM70N90D | SI7403BDN | APT56M50L | AGM204AP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement




