JMSH1101PE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1101PE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 437 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 294 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1590 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1101PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1101PE даташит

 ..1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh1101pe.pdf pdf_icon

JMSH1101PE

110V, 294A, 2.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 294 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Mana

 0.1. Size:1180K  jiejie micro
 jmsh1101pe7.pdf pdf_icon

JMSH1101PE

110V, 303A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 303 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management Schematic D

 5.1. Size:1254K  jiejie micro
 jmsh1101pc.pdf pdf_icon

JMSH1101PE

110V, 166A, 3.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 166 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

 5.2. Size:1266K  jiejie micro
 jmsh1101ptl.pdf pdf_icon

JMSH1101PE

110V, 256A, 1.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1101PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 256 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0801PE, JMSH0801PTL, JMSH0802MC, JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, IRFB3607, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, JMSH1102QC, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, JMSH1102TE, JMSH1102YC