JMSH1102QC datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1102QC 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1494 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: TO220
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH1102QC
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1102QC даташит
jmsh1102qc.pdf
110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1102qe.pdf
110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1102qs.pdf
100V, 209A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 209 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-
jmsh1102tc.pdf
110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 158 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO
Другие IGBT... JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, 12N60, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, JMSH1102TE, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE, JMSH1103TC
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: IXFH74N20P | SSU65R420S2 | APT8065BVR | AGM206A | SST65R1K2S2E
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement | a1941 datasheet







