JMSH1102QC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1102QC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 110 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 176 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1494 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1102QC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1102QC даташит

 ..1. Size:1262K  jiejie micro
jmsh1102qc.pdfpdf_icon

JMSH1102QC

110V, 176A, 2.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 176 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 5.1. Size:1236K  jiejie micro
jmsh1102qe.pdfpdf_icon

JMSH1102QC

110V, 220A, 2.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 110 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 220 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

 5.2. Size:1302K  jiejie micro
jmsh1102qs.pdfpdf_icon

JMSH1102QC

100V, 209A, 2.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102QS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 209 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-

 6.1. Size:1249K  jiejie micro
jmsh1102tc.pdfpdf_icon

JMSH1102QC

110V, 158A, 2.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1102TC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 110 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 158 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO

Другие IGBT... JMSH0802ME, JMSH0802MTL, JMSH0802PE, JMSH0802PTL, JMSH1101PC, JMSH1101PE, JMSH1101PE7, JMSH1101PTL, 12N60, JMSH1102QE, JMSH1102QS, JMSH1102TC, JMSH1102TE, JMSH1102YC, JMSH1102YE, JMSH1103PE, JMSH1103TC