Справочник MOSFET. JMH65R190AFFD

 

JMH65R190AFFD Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMH65R190AFFD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMH65R190AFFD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R190AFFD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:352K  jiejie micro
 jmh65r190affd.pdf pdf_icon

JMH65R190AFFD

JMH65R190AFFD650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Fast Recovery Body Diode 170 m Eoss@400V5.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 3.1. Size:347K  jiejie micro
 jmh65r190af.pdf pdf_icon

JMH65R190AFFD

JMH65R190AF650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190AFFD

JMH65R190AE650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)170 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

 4.2. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r190apln.pdf pdf_icon

JMH65R190AFFD

JMH65R190APLN650V SuperJunction Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)169 m Eoss@400V5.2 J Pb-free Lead Plating H

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1509PC , JMSH1509PE , JMSH1509PG , JMH65R190AC , JMH65R190ACFDQ , JMH65R190ACFP , JMH65R190AE , JMH65R190AF , IRFZ48N , JMH65R190APLN , JMH65R190APLNFD , JMH65R190AS , JMH65R190AW , JMH65R190PCFD , JMH65R190PEFD , JMH65R190PFFD , JMH65R190PSFD .

 

 
Back to Top

 


 
.