JMH65R190APLNFD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R190APLNFD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 61 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: DFN8080-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R190APLNFD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R190APLNFD даташит

 0.1. Size:357K  jiejie micro
 jmh65r190aplnfd.pdf pdf_icon

JMH65R190APLNFD

JMH65R190APLNFD 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A Fast Recovery Body Diode RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 169 m Eoss@400V 5.2 J 100% UIS Tested, 100% Rg Tested

 1.1. Size:358K  jiejie micro
 jmh65r190apln.pdf pdf_icon

JMH65R190APLNFD

JMH65R190APLN 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 17.4 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 169 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating H

 4.1. Size:332K  jiejie micro
 jmh65r190ae.pdf pdf_icon

JMH65R190APLNFD

JMH65R190AE 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Halog

 4.2. Size:347K  jiejie micro
 jmh65r190af.pdf pdf_icon

JMH65R190APLNFD

JMH65R190AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.5 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 20 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 170 100% UIS Tested, 100% Rg Tested m Eoss@400V 5.2 J Pb-free Lead Plating Hal

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1509PG, JMH65R190AC, JMH65R190ACFDQ, JMH65R190ACFP, JMH65R190AE, JMH65R190AF, JMH65R190AFFD, JMH65R190APLN, 7N60, JMH65R190AS, JMH65R190AW, JMH65R190PCFD, JMH65R190PEFD, JMH65R190PFFD, JMH65R190PSFD, JMSH1204PC, JMSH1204PE