JMSH1204PTL datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1204PTL 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 313 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 189 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 784 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0039 Ohm
Тип корпуса: TOLL
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH1204PTL
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1204PTL даташит
jmsh1204ptl.pdf
120V, 189A, 3m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1204PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 120 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 189 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10x1
jmsh1204pc.pdf
120V, 145A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1204PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 120 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 145 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1204pe.pdf
120V, 163A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1204PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 120 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 163 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
jmsh1202ptl.pdf
120V, 300A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1202PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 120 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 300 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10
Другие IGBT... JMH65R190AS, JMH65R190AW, JMH65R190PCFD, JMH65R190PEFD, JMH65R190PFFD, JMH65R190PSFD, JMSH1204PC, JMSH1204PE, AO4407, JMSH1207AC, JMSH1207AE, JMSH1207AG, JMSH1506AE7, JMSH1506AS, JMSH1506ASQ, JMSH1506MTL, JMSH0401AG
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: APT8024B2LL | IRF7752 | 2SK1727 | IRFB5620 | APG60N10NF | QM2402J | APJ50N65P
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
bc238 | 2sb772 | 2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70






