JMSH1207AG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1207AG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 120 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 94 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 424 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.007 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH1207AG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1207AG даташит
jmsh1207ag.pdf
JMSH1207AG 120V 5.6m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 120 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 94 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 5.6 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial A
jmsh1207ac jmsh1207ae.pdf
JMSH1207AC JMSH1207AE 120V 5.9m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 120 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.9 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom.,
jmsh1202ptl.pdf
120V, 300A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1202PTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 120 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 300 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10
jmsh1204pc.pdf
120V, 145A, 3.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1204PC Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 120 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 145 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.2 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man
Другие IGBT... JMH65R190PEFD, JMH65R190PFFD, JMH65R190PSFD, JMSH1204PC, JMSH1204PE, JMSH1204PTL, JMSH1207AC, JMSH1207AE, 75N75, JMSH1506AE7, JMSH1506AS, JMSH1506ASQ, JMSH1506MTL, JMSH0401AG, JMSH0401AGQ, JMSH0401ATL, JMSH0401ATLQ
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: AGM150P10S | AO4832 | AGM304A
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent






