JMSH0401AG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH0401AG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 114 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 190 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2000 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для JMSH0401AG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH0401AG даташит
jmsh0401ag.pdf
JMSH0401AG 40V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 190 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0401agq.pdf
JMSH0401AGQ 40V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh0401atl.pdf
JMSH0401ATL 40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 336 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE
jmsh0401atlq.pdf
JMSH0401ATLQ 40V 1.0mW TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 337 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
Другие IGBT... JMSH1204PTL, JMSH1207AC, JMSH1207AE, JMSH1207AG, JMSH1506AE7, JMSH1506AS, JMSH1506ASQ, JMSH1506MTL, AOD4184A, JMSH0401AGQ, JMSH0401ATL, JMSH0401ATLQ, JMSH0401ATSQ, JMSH0401BG, JMSH0401BGQ, JMSH0401CG, JMSH0401CGQ
Параметры MOSFET. Взаимосвязь и компромиссы
History: NTB75N06G | APG035N04Q | NTMD6P02R2 | FDB8442F085
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: CS95118 | CS85105A | CS75N45 | CS72N12 | CS55N50 | CS48N75A | CS40N27 | MSQ60P04D | MSQ40P07D | MSQ30P40D | MSQ30P15 | MSQ30P07D | MSQ100N03D | MSHM60P14 | MSHM40N085 | MSHM30N46
Popular searches
2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent





