JMSH0401ATL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0401ATL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 336 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 94 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3004 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm

Тип корпуса: TOLL

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0401ATL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0401ATL даташит

 ..1. Size:358K  jiejie micro
 jmsh0401atl.pdf pdf_icon

JMSH0401ATL

JMSH0401ATL 40V 1.0m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 336 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Management in Computing, CE, IE

 0.1. Size:625K  jiejie micro
 jmsh0401atlq.pdf pdf_icon

JMSH0401ATL

JMSH0401ATLQ 40V 1.0mW TOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameter Value Unit VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 337 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.0 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:562K  jiejie micro
 jmsh0401atsq.pdf pdf_icon

JMSH0401ATL

JMSH0401ATSQ 40V 0.9mW sTOLL N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Standard Level Threshold, VGS(th) VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 352 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automoti

 5.1. Size:401K  jiejie micro
 jmsh0401agq.pdf pdf_icon

JMSH0401ATL

JMSH0401AGQ 40V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 197 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1207AE, JMSH1207AG, JMSH1506AE7, JMSH1506AS, JMSH1506ASQ, JMSH1506MTL, JMSH0401AG, JMSH0401AGQ, IRFZ44N, JMSH0401ATLQ, JMSH0401ATSQ, JMSH0401BG, JMSH0401BGQ, JMSH0401CG, JMSH0401CGQ, JMSH0401MGQ, JMSH0401PE