JMSH0401PE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0401PE  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 224 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3292 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH0401PE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0401PE даташит

 ..1. Size:1335K  jiejie micro
 jmsh0401pe.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 224A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 224 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sche

 5.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0401pts.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 361A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 361 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sch

 5.2. Size:1208K  jiejie micro
 jmsh0401pg.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 211A, 0.8m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 40 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 211 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW Applications Load Switch PWM Application Power Manage

 5.3. Size:1175K  jiejie micro
 jmsh0401ptsq.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 381A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0401PTSQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 381 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0401ATL, JMSH0401ATLQ, JMSH0401ATSQ, JMSH0401BG, JMSH0401BGQ, JMSH0401CG, JMSH0401CGQ, JMSH0401MGQ, IRFB4110, JMSH0401PG, JMSH0401PGQ, JMSH0401PTS, JMSH0401PTSQ, JMSH1003AE7Q, JMSH1003AG, JMSH1003AGQ, JMSH1003AGWQ