Справочник MOSFET. JMSH0401PE

 

JMSH0401PE Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0401PE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 224 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3292 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0028 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для JMSH0401PE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0401PE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1335K  jiejie micro
 jmsh0401pe.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 224A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401PEProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 224 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSche

 5.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0401pts.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 361A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401PTSProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.6 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 361 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SSch

 5.2. Size:1208K  jiejie micro
 jmsh0401pg.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 211A, 0.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TESTEDVDSS 40 V 100% Vds TESTEDVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 211 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mWApplications Load Switch PWM Application Power Manage

 5.3. Size:1175K  jiejie micro
 jmsh0401ptsq.pdf pdf_icon

JMSH0401PE

40V, 381A, 0.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0401PTSQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.6 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 381 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.9 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0401ATL , JMSH0401ATLQ , JMSH0401ATSQ , JMSH0401BG , JMSH0401BGQ , JMSH0401CG , JMSH0401CGQ , JMSH0401MGQ , IRFZ44 , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ .

 

 
Back to Top

 


 
.