JMSH1003AG - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSH1003AG. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1003AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 144 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH1003AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003AG даташит

 ..1. Size:326K  jiejie micro
jmsh1003ag.pdfpdf_icon

JMSH1003AG

JMSH1003AG 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 144 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial A

 0.1. Size:327K  jiejie micro
jmsh1003agq.pdfpdf_icon

JMSH1003AG

JMSH1003AGQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 0.2. Size:354K  jiejie micro
jmsh1003agwq.pdfpdf_icon

JMSH1003AG

JMSH1003AGWQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.8 m Automated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 5.1. Size:381K  jiejie micro
jmsh1003atlq.pdfpdf_icon

JMSH1003AG

JMSH1003ATLQ 100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

Другие MOSFET... JMSH0401CGQ , JMSH0401MGQ , JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , IRFP260N , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG .

History: JMSH1003AE7Q

 

 
Back to Top

 


 
.