JMSH1003AG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH1003AG
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 137 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 144 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH1003AG
JMSH1003AG Datasheet (PDF)
jmsh1003ag.pdf

JMSH1003AG100V 2.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 144 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial A
jmsh1003agq.pdf

JMSH1003AGQ100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications
jmsh1003agwq.pdf

JMSH1003AGWQ100V 2.8m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.8 mAutomated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat
jmsh1003atlq.pdf

JMSH1003ATLQ100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap
Другие MOSFET... JMSH0401CGQ , JMSH0401MGQ , JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , 10N60 , JMSH1003AGQ , JMSH1003AGWQ , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG .
History: JMSH1018AG | STP4N150 | IPT60R022S7 | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | 2SJ547 | IRF1018EPBF
History: JMSH1018AG | STP4N150 | IPT60R022S7 | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | 2SJ547 | IRF1018EPBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2sc1384 equivalent | 2sd786 | a940 transistor | 2sc1815 replacement | 2sc2383 | c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60