JMSH1003AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1003AGQ  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0035 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMSH1003AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003AGQ даташит

 ..1. Size:327K  jiejie micro
 jmsh1003agq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGQ

JMSH1003AGQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:354K  jiejie micro
 jmsh1003agwq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGQ

JMSH1003AGWQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.8 m Automated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 4.2. Size:326K  jiejie micro
 jmsh1003ag.pdf pdf_icon

JMSH1003AGQ

JMSH1003AG 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 144 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial A

 5.1. Size:381K  jiejie micro
 jmsh1003atlq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGQ

JMSH1003ATLQ 100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0401MGQ, JMSH0401PE, JMSH0401PG, JMSH0401PGQ, JMSH0401PTS, JMSH0401PTSQ, JMSH1003AE7Q, JMSH1003AG, IRF640N, JMSH1003AGWQ, JMSH1003ATL, JMSH1003ATLQ, JMSH1003NC, JMSH1003NE, JMSH1003NE7, JMSH1003NG, JMSH1003TC