JMSH1003AGWQ - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSH1003AGWQ. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1003AGWQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 900 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-W
 

 Аналог (замена) для JMSH1003AGWQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003AGWQ даташит

 ..1. Size:354K  jiejie micro
 jmsh1003agwq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGWQ

JMSH1003AGWQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th) 2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V) 2.8 m Automated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 4.1. Size:327K  jiejie micro
 jmsh1003agq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGWQ

JMSH1003AGQ 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.2. Size:326K  jiejie micro
 jmsh1003ag.pdf pdf_icon

JMSH1003AGWQ

JMSH1003AG 100V 2.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 144 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial A

 5.1. Size:381K  jiejie micro
 jmsh1003atlq.pdf pdf_icon

JMSH1003AGWQ

JMSH1003ATLQ 100V 2.7m TOLL N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (2) 228 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.7 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Ap

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0401PE , JMSH0401PG , JMSH0401PGQ , JMSH0401PTS , JMSH0401PTSQ , JMSH1003AE7Q , JMSH1003AG , JMSH1003AGQ , IRFB4227 , JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG , JMSH1003TC , JMSH1003TE .

 

 
Back to Top

 


 
.