JMSH1003TF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMSH1003TF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 858 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JMSH1003TF
JMSH1003TF Datasheet (PDF)
jmsh1003tf.pdf

100V, 80A, 4.4m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1003TFProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 80 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-22
jmsh1003ttl.pdf

100V, 184A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1003TTLProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 184 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPowerJE10
jmsh1003tc jmsh1003te.pdf

JMSH1003TCJMSH1003TE100V 3.0mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.2 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 223 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3 Pb-free L
jmsh1003ne7.pdf

100V, 167A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1003NE7Product SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 167 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementTO-263-7L
Другие MOSFET... JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG , JMSH1003TC , JMSH1003TE , STP75NF75 , JMSH1003TTL , JMH65R290ACFP , JMH65R290AE , JMH65R290AEFDQ , JMH65R290AF , JMH65R290APLN , JMH65R360AF , JMH65R360AK .
History: JMSH1003TE | IPT60R022S7 | STP4N150 | IRF1018EPBF | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | 2N3958
History: JMSH1003TE | IPT60R022S7 | STP4N150 | IRF1018EPBF | FDD45AN06LA0 | JMSH1018PE | 2N3958



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ14N65T | APJ14N65P | APJ14N65F | APJ14N65D | APN9N50D | AP65R190 | APJ50N65T | APJ50N65P | APJ50N65F | APJ30N65T | APJ30N65P | APJ30N65F | AP65R650 | APG60N10S | APG120N04NF | AP8G06S
Popular searches
2sd287 | 2sd438 | a1492 | hy4008 | ncep039n10m | 20n50 | 2sc869 | tip29 transistor equivalent