JMSH1003TF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSH1003TF. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1003TF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 41 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 858 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMSH1003TF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1003TF даташит

 ..1. Size:1222K  jiejie micro
jmsh1003tf.pdfpdf_icon

JMSH1003TF

100V, 80A, 4.4m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1003TF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.4 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S TO-22

 5.1. Size:1257K  jiejie micro
jmsh1003ttl.pdfpdf_icon

JMSH1003TF

100V, 184A, 3.5m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1003TTL Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 184 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.5 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PowerJE 10

 5.2. Size:635K  jiejie micro
jmsh1003tc jmsh1003te.pdfpdf_icon

JMSH1003TF

JMSH1003TC JMSH1003TE 100V 3.0mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.2 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 223 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3 Pb-free L

 6.1. Size:1188K  jiejie micro
jmsh1003ne7.pdfpdf_icon

JMSH1003TF

100V, 167A, 3.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1003NE7 Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.1 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 167 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.1 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management TO-263-7L

Другие MOSFET... JMSH1003ATL , JMSH1003ATLQ , JMSH1003NC , JMSH1003NE , JMSH1003NE7 , JMSH1003NG , JMSH1003TC , JMSH1003TE , IRFP250N , JMSH1003TTL , JMH65R290ACFP , JMH65R290AE , JMH65R290AEFDQ , JMH65R290AF , JMH65R290APLN , JMH65R360AF , JMH65R360AK .

History: JMSH1003TE

 

 
Back to Top

 


 
.