JMH65R360AF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMH65R360AF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JMH65R360AF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R360AF даташит

 ..1. Size:353K  jiejie micro
 jmh65r360af.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

JMH65R360AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 320 m Eoss@400V 2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:367K  jiejie micro
 jmh65r360ak.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

JMH65R360AK 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.3 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 320 m Eoss@400V 2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 5.1. Size:1239K  jiejie micro
 jmh65r360pf.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

650V, 8.2A, 268m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R360PF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8.2 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 268 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 5.2. Size:1237K  jiejie micro
 jmh65r360mf.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

650V, 7.4A, 311m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R360MF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.4 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 311 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1003TE, JMSH1003TF, JMSH1003TTL, JMH65R290ACFP, JMH65R290AE, JMH65R290AEFDQ, JMH65R290AF, JMH65R290APLN, IRF1010E, JMH65R360AK, JMH65R360MF, JMH65R360MK, JMH65R360PF, JMH65R360PK, JMH65R400MFFD, JMH65R400MKFD, JMH65R400MPLNFD