JMH65R360AF - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMH65R360AF. Основные параметры


   Наименование производителя: JMH65R360AF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 73 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 31 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для JMH65R360AF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMH65R360AF даташит

 ..1. Size:353K  jiejie micro
 jmh65r360af.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

JMH65R360AF 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 11.0 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 320 m Eoss@400V 2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 4.1. Size:367K  jiejie micro
 jmh65r360ak.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

JMH65R360AK 650V SuperJunction Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Extremely Low Gate Charge VDS 650 V Excellent Output Capacitance (Coss) Profile VGS(th)_Typ 3.3 V Fast Switching Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 10.3 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 320 m Eoss@400V 2.5 J Pb-free Lead Plating Hal

 5.1. Size:1239K  jiejie micro
 jmh65r360pf.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

650V, 8.2A, 268m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R360PF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8.2 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 268 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

 5.2. Size:1237K  jiejie micro
 jmh65r360mf.pdf pdf_icon

JMH65R360AF

650V, 7.4A, 311m N-channel Power SuperJunction MOSFET JMH65R360MF Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 650 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 7.4 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 311 mW Applications SMPS with PFC Flyback and LLC topologies Silver

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1003TE , JMSH1003TF , JMSH1003TTL , JMH65R290ACFP , JMH65R290AE , JMH65R290AEFDQ , JMH65R290AF , JMH65R290APLN , IRF9540N , JMH65R360AK , JMH65R360MF , JMH65R360MK , JMH65R360PF , JMH65R360PK , JMH65R400MFFD , JMH65R400MKFD , JMH65R400MPLNFD .

History: 4407 | JMH65R290ACFP | IXTY2N60P

 

 
Back to Top

 


 
.