JMSH1018PGD - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH1018PGD - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1018PGD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D
 

 Аналог (замена) для JMSH1018PGD

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1018PGD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1314K  jiejie micro
 jmsh1018pgd.pdf pdf_icon

JMSH1018PGD

100V, 26A, 17m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PGDProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 100 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 26 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 17 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementPDFN5X6-8L-DS

 4.1. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PGD

JMSH1018PG100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 4.2. Size:1188K  jiejie micro
 jmsh1018pgq.pdf pdf_icon

JMSH1018PGD

100V, 52A, 15.2m N-channel Power SGT MOSFETJMSH1018PGQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 100 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 52 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 15.2 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PGD

JMSH1018PK100V 15.7mW N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMH65R400MPLNFD , JMH65R430ACFP , JMSH1018AC , JMSH1018AE , JMSH1018AG , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , AON7506 , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , JMSH1018PP , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN .

History: STT06L01 | FDD45AN06LA0 | IRF1018EPBF | IPT60R022S7 | JMSH1018PE | STP4N150 | PS20N600A

 

 
Back to Top

 


 
.