JMSH1018PP - описание и поиск аналогов

 

Аналоги JMSH1018PP. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1018PP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 323 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMSH1018PP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1018PP даташит

 ..1. Size:1228K  jiejie micro
 jmsh1018pp.pdf pdf_icon

JMSH1018PP

100V, 8A, 16m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PP Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 8 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 16 mW Applications Load Switch PWM Application Power Managemen

 5.1. Size:637K  jiejie micro
 jmsh1018pk.pdf pdf_icon

JMSH1018PP

JMSH1018PK 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 40 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.2. Size:837K  jiejie micro
 jmsh1018pg.pdf pdf_icon

JMSH1018PP

JMSH1018PG 100V 15.7mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge Low Gate Charge VGS(th)_Typ 3.1 V 100% UIS Tested, 100% RggTested 100% UIS Tested, 100% R Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 55 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 15.

 5.3. Size:1188K  jiejie micro
 jmsh1018pgq.pdf pdf_icon

JMSH1018PP

100V, 52A, 15.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1018PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 100 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 52 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V) 15.2 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1018AE , JMSH1018AG , JMSH1018PC , JMSH1018PE , JMSH1018PG , JMSH1018PGD , JMSH1018PGQ , JMSH1018PK , NCEP15T14 , JMH65R430AE , JMH65R430AF , JMH65R430AK , JMH65R430AKQ , JMH65R430APLN , JMPC34N20BJ , JMPC4N60BJ , JMPC4N65BJ .

History: VSI008N10MS

 

 
Back to Top

 


 
.