Справочник MOSFET. JMSH1004BC

 

JMSH1004BC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1004BC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 134 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 905 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для JMSH1004BC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1004BC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:956K  jiejie micro
 jmsh1004bc jmsh1004be.pdf pdf_icon

JMSH1004BC

JMSH1004BCJMSH1004BE100V 3.7mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 134 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 3.7 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Management in Computing, CE, IE

 5.1. Size:311K  jiejie micro
 jmsh1004bgq.pdf pdf_icon

JMSH1004BC

JMSH1004BGQ100V 3.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 5.2. Size:335K  jiejie micro
 jmsh1004beq.pdf pdf_icon

JMSH1004BC

JMSH1004BEQ100V 3.5m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 160 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.5 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicati

 5.3. Size:448K  jiejie micro
 jmsh1004bg.pdf pdf_icon

JMSH1004BC

JMSH1004BG100V 3.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMPC5N50BJ , JMPC630BJ , JMPC7N65BJ , JMPC840BJ , JMPC8N60BJ , JMSH1004AC , JMSH1004AE , JMSH1004AEQ , CS150N03A8 , JMSH1004BE , JMSH1004BEQ , JMSH1004BG , JMSH1004BGQ , JMSH1004BGWQ , JMSH1004MC , JMSH1004NC , JMSH1004NE .

 

 
Back to Top

 


 
.