Справочник MOSFET. JMSH1004BGWQ

 

JMSH1004BGWQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH1004BGWQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 214 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 152 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 906 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L-W
 

 Аналог (замена) для JMSH1004BGWQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1004BGWQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  jiejie micro
jmsh1004bgwq.pdfpdf_icon

JMSH1004BGWQ

JMSH1004BGWQ100V 3.6m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 152 A Wettable Flanks design support high manufacturability and RDS(ON) (@ VGS = 10V)3.6 mAutomated Optical Inspection (AOI) Pb-free Lead Plat

 4.1. Size:311K  jiejie micro
jmsh1004bgq.pdfpdf_icon

JMSH1004BGWQ

JMSH1004BGQ100V 3.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 138 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 4.2. Size:448K  jiejie micro
jmsh1004bg.pdfpdf_icon

JMSH1004BGWQ

JMSH1004BG100V 3.3mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.3 mW Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Industrial Auto

 5.1. Size:335K  jiejie micro
jmsh1004beq.pdfpdf_icon

JMSH1004BGWQ

JMSH1004BEQ100V 3.5m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 160 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)3.5 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applicati

Другие MOSFET... JMSH1004AC , JMSH1004AE , JMSH1004AEQ , JMSH1004BC , JMSH1004BE , JMSH1004BEQ , JMSH1004BG , JMSH1004BGQ , K2611 , JMSH1004MC , JMSH1004NC , JMSH1004NE , JMSH1004NG , JMSH1004RG , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.