Справочник MOSFET. JMSH0402AGQ

 

JMSH0402AGQ Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0402AGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 182 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2013 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0402AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0402AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:569K  jiejie micro
 jmsh0402agq.pdf pdf_icon

JMSH0402AGQ

JMSH0402AGQ40V 1.6mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 182 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN

 5.1. Size:353K  jiejie micro
 jmsh0402akq.pdf pdf_icon

JMSH0402AGQ

JMSH0402AKQ40V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 170 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:335K  jiejie micro
 jmsh0402aeq.pdf pdf_icon

JMSH0402AGQ

JMSH0402AEQ40V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 253 A RDS(ON) (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications TO-263-3L

 6.1. Size:332K  jiejie micro
 jmsh0402bgq.pdf pdf_icon

JMSH0402AGQ

JMSH0402BGQ40V 2.0m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Ultra-low ON-resistance, RDS(ON)Parameter Typ. Unit VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 166 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications PDFN5x6-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1004BGQ , JMSH1004BGWQ , JMSH1004MC , JMSH1004NC , JMSH1004NE , JMSH1004NG , JMSH1004RG , JMSH0402AEQ , MMIS60R580P , JMSH0402AKQ , JMSH0402BGQ , JMSH0402PG , JMSH0403AG , JMSH0403AGHWQ , JMSH0403AGQ , JMSH0403BG , JMSH0403BGQ .

History: JMSL1040AGQ | JMSL1040AK | JMSL1040AGD | JMSL1040AUD | JMSL1040AE

 

 
Back to Top

 


 
.