JMSH1002ASQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH1002ASQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH1002ASQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 333 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2091 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для JMSH1002ASQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1002ASQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:355K  jiejie micro
 jmsh1002asq.pdf pdf_icon

JMSH1002ASQ

JMSH1002ASQ100V 1.8m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 333 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.8 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Application

 4.1. Size:623K  jiejie micro
 jmsh1002as.pdf pdf_icon

JMSH1002ASQ

JMSH1002AS100V 1.7mW N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.8 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 314 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.7 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Indus

 5.1. Size:339K  jiejie micro
 jmsh1002aeq.pdf pdf_icon

JMSH1002ASQ

JMSH1002AEQ100V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 350 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:657K  jiejie micro
 jmsh1002ac jmsh1002ae.pdf pdf_icon

JMSH1002ASQ

JMSH1002ACJMSH1002AE100V 1.6mW N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 271 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.6 mW Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Managerment in Telecom., Ind

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0403PGHW , JMSH0403PGHWQ , JMSH0403PGQ , JMSH0403PU , JMSH1002AC , JMSH1002AE , JMSH1002AEQ , JMSH1002AS , IRFZ44N , JMSH1002BC , JMSH1002BE , JMSH1002NC , JMSH1002NE , JMSH1002NS , JMSH1002NTL , JMSH1002RE , JMSH1002TC .

 

 
Back to Top

 


 
.