JMSH0406PGD datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH0406PGD  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0063 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L-D

Аналог (замена) для JMSH0406PGD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406PGD даташит

 ..1. Size:1304K  jiejie micro
 jmsh0406pgd.pdf pdf_icon

JMSH0406PGD

40V, 50A, 4.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGD Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 50 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management PDFN5X6-8L-D S

 0.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGD

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGDQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Appli

 4.1. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406pg.pdf pdf_icon

JMSH0406PGD

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 103 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN

 4.2. Size:1229K  jiejie micro
 jmsh0406pgq.pdf pdf_icon

JMSH0406PGD

40V, 106A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSH0406PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 3.1 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 106 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Applications Load Switch PWM Applica

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH0406AG, JMSH0406AGD, JMSH0406AGDQ, JMSH0406AGQ, JMSH0406AK, JMSH0406AKQ, JMSH0406AU, JMSH0406PG, 2N7000, JMSH0406PGDQ, JMSH0406PGQ, JMSH0406PK, JMSH0406PKQ, JMSH1005PC, JMSH1005PE, JMSH1005PG, JMSH1006AC