Справочник MOSFET. JMSH0406PK

 

JMSH0406PK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSH0406PK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSH0406PK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406PK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1129K  jiejie micro
 jmsh0406pk.pdf pdf_icon

JMSH0406PK

40V, 64A, 4.6m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PKProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParameters Value Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.9 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 64 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.6 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG STO-252-

 0.1. Size:1252K  jiejie micro
 jmsh0406pkq.pdf pdf_icon

JMSH0406PK

40V, 66A, 4.8m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PKQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 3.0 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 66 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.8 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Applicat

 5.1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsh0406pu.pdf pdf_icon

JMSH0406PK

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 54 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 5.2. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PK

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH0406AGQ , JMSH0406AK , JMSH0406AKQ , JMSH0406AU , JMSH0406PG , JMSH0406PGD , JMSH0406PGDQ , JMSH0406PGQ , STP75NF75 , JMSH0406PKQ , , , , , , , .

 

 
Back to Top

 


 
.