JMSH1006AC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1006AC  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 114 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для JMSH1006AC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1006AC даташит

 ..1. Size:327K  jiejie micro
jmsh1006ac jmsh1006ae.pdfpdf_icon

JMSH1006AC

JMSH1006AC JMSH1006AE 100V 5.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 114 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., I

 5.1. Size:310K  jiejie micro
jmsh1006ag.pdfpdf_icon

JMSH1006AC

JMSH1006AG 100V 5.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 102 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.3 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial

 5.2. Size:312K  jiejie micro
jmsh1006ak.pdfpdf_icon

JMSH1006AC

JMSH1006AK 100V 5.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 m RoHS and Halogen-Free Compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Au

 6.1. Size:1206K  jiejie micro
jmsh1006pg.pdfpdf_icon

JMSH1006AC

100V, 90A, 5.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN5

Другие IGBT... JMSH0406PGD, JMSH0406PGDQ, JMSH0406PGQ, JMSH0406PK, JMSH0406PKQ, JMSH1005PC, JMSH1005PE, JMSH1005PG, 2SK3878, JMSH1006AE, JMSH1006AG, JMSH1006AK, JMSH1006PC, JMSH1006PE, JMSH1006PG, JMSH1006PGS, JMSH1006PK