JMSH1006AG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSH1006AG 📄📄
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 102 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0066 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSH1006AG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSH1006AG даташит
jmsh1006ag.pdf
JMSH1006AG 100V 5.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 102 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.3 Pb-free Lead Plating m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial
jmsh1006ac jmsh1006ae.pdf
JMSH1006AC JMSH1006AE 100V 5.2m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 114 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Managerment in Telecom., I
jmsh1006ak.pdf
JMSH1006AK 100V 5.5m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 90 A Pb-Free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 5.5 m RoHS and Halogen-Free Compliant Applications Power Managerment in Telecom., Industrial Au
jmsh1006pg.pdf
100V, 90A, 5.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN5
Другие IGBT... JMSH0406PGQ, JMSH0406PK, JMSH0406PKQ, JMSH1005PC, JMSH1005PE, JMSH1005PG, JMSH1006AC, JMSH1006AE, 2N7002, JMSH1006AK, JMSH1006PC, JMSH1006PE, JMSH1006PG, JMSH1006PGS, JMSH1006PK, JMSH1010AC, JMSH1010AE
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
c3306 datasheet | hy3810 | c711 transistor | k3599 transistor datasheet | 2sc1735 | transistor 2sc5200 | 2sb560 transistor | a1273








