JMSH1006PG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSH1006PG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 94 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 470 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0064 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSH1006PG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH1006PG даташит

 ..1. Size:1206K  jiejie micro
 jmsh1006pg.pdf pdf_icon

JMSH1006PG

100V, 90A, 5.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.0 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 90 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.0 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PDFN5

 0.1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsh1006pgs.pdf pdf_icon

JMSH1006PG

100V, 101A, 5.6m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PGS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 101 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.6 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S PD

 5.1. Size:1290K  jiejie micro
 jmsh1006pk.pdf pdf_icon

JMSH1006PG

100V, 61A, 5.9m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 3.5 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 61 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.9 mW Applications Load Switch PWM Application Power Management D G S Sche

 5.2. Size:1231K  jiejie micro
 jmsh1006pe.pdf pdf_icon

JMSH1006PG

100V, 116A, 5.7m N-channel Power SGT MOSFET JMSH1006PE Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS TESTED VDSS 100 V 100% Vds TESTED VGS(th)_Typ 3.2 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 116 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.7 mW Applications Load Switch PWM Application Power Man

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1005PE, JMSH1005PG, JMSH1006AC, JMSH1006AE, JMSH1006AG, JMSH1006AK, JMSH1006PC, JMSH1006PE, AO3401, JMSH1006PGS, JMSH1006PK, JMSH1010AC, JMSH1010AE, JMSH1010AG, JMSH1010AGQ, JMSH1010AK, JMSH1010AKQ