JMSH0406PU - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSH0406PU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSH0406PU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 54 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 753 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0054 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSH0406PU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSH0406PU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1235K  jiejie micro
 jmsh0406pu.pdf pdf_icon

JMSH0406PU

40V, 54A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 54 A Pb-free platingRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mWApplications Load Switch PWM Application Power Managem

 0.1. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406puq.pdf pdf_icon

JMSH0406PU

40V, 57A, 4.1m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PUQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) ParametersValue Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 57 A Halogen-free; RoHS-compliantRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 4.1 mW AEC-Q101 Qualified Pb-free platingApplications Load Swit

 5.1. Size:1174K  jiejie micro
 jmsh0406pgdq.pdf pdf_icon

JMSH0406PU

40V, 51A, 5.1m Dual N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGDQProduct SummaryFeatures Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate ChargeVDSS 40 V 100% UIS TestedVGS(th)_Typ 2.8 V 100% Vds TestedID(@VGS=10V) 51 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 5.1 mW AEC-Q101 QualifiedApplications Load Switch PWM Appli

 5.2. Size:1236K  jiejie micro
 jmsh0406pg.pdf pdf_icon

JMSH0406PU

40V, 103A, 3.9m N-channel Power SGT MOSFETJMSH0406PGProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TestedVDSS 40 V 100% Vds TestedVGS(th)_Typ 2.8 V Halogen-free; RoHS-compliantID(@VGS=10V) 103 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 3.9 mWApplications Load Switch PWM Application Power ManagementDG SPDFN

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1010AG , JMSH1010AGQ , JMSH1010AK , JMSH1010AKQ , JMSH1010PC , JMSH1010PG , JMSH1010PK , JMSH1010PU , AON6380 , JMSH0406PUQ , JMSH0406BUQ , JMSL0401PG , JMSL0401PGQ , JMSL0402AG , JMSL0402AGQ , JMSL0402AK , JMSL0402AKQ .

History: ASDM30P09ZB | ASDM30N55E | ASDM3010 | CS16N65F | HMDN3010D | 2SK2590 | IRHQ57214SE

 

 
Back to Top

 


 
.