JMSL0401PG datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование производителя: JMSL0401PG
Маркировка: SL0401P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 297 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 146 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 2793 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0011 Ohm
Тип корпуса: PDFN5X6-8L
Аналог (замена) для JMSL0401PG
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
JMSL0401PG даташит
jmsl0401pg.pdf
40V, 297A, 1.2m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0401PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 40 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.8 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 297 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 0.8 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.2 mW Applications Load Switch PWM Application Pow
Другие IGBT... JMSH1010AKQ, JMSH1010PC, JMSH1010PG, JMSH1010PK, JMSH1010PU, JMSH0406PU, JMSH0406PUQ, JMSH0406BUQ, NCEP15T14, JMSL0401PGQ, JMSL0402AG, JMSL0402AGQ, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG, JMSL0402BGQ
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ASDM30DN30E | ASDM3050KQ | ASDM2305 | ASDM2301 | ASDM2300ZA | ASDM20P13S | ASDM20N90Q | ASDM20N60 | ASDM7002EZA | ASDM68N80KQ | ASDM6802ZC | ASDM60R042NQ | ASDM60P12KQ | ASDM60N80KQ | ASDM60N70Q | ASDM60N50KQ
Popular searches
mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet | 2n270 | 2n2924 | mpsa65 | 2sa794






