JMSL0402AGQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0402AGQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1993 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0402AGQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402AGQ даташит

 ..1. Size:403K  jiejie micro
 jmsl0402agq.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

JMSL0402AGQ 40V 1.6m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

 4.1. Size:319K  jiejie micro
 jmsl0402ag.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

 5.1. Size:285K  jiejie micro
 jmsl0402au.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

 5.2. Size:306K  jiejie micro
 jmsl0402ak.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

JMSL0402AK 40V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSH1010PK, JMSH1010PU, JMSH0406PU, JMSH0406PUQ, JMSH0406BUQ, JMSL0401PG, JMSL0401PGQ, JMSL0402AG, IRFP450, JMSL0402AK, JMSL0402AKQ, JMSL0402AU, JMSL0402BG, JMSL0402BGQ, JMSL0402MGQ, JMSL0402MTL, JMSL0402PG