JMSL0402AGQ - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL0402AGQ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0402AGQ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 183 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1993 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.002 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0402AGQ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0402AGQ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  jiejie micro
 jmsl0402agq.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

JMSL0402AGQ40V 1.6m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 183 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Q

 4.1. Size:319K  jiejie micro
 jmsl0402ag.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

 5.1. Size:285K  jiejie micro
 jmsl0402au.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

 5.2. Size:306K  jiejie micro
 jmsl0402ak.pdf pdf_icon

JMSL0402AGQ

JMSL0402AK40V 1.8m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 150 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSH1010PK , JMSH1010PU , JMSH0406PU , JMSH0406PUQ , JMSH0406BUQ , JMSL0401PG , JMSL0401PGQ , JMSL0402AG , IRF1407 , JMSL0402AK , JMSL0402AKQ , JMSL0402AU , JMSL0402BG , JMSL0402BGQ , JMSL0402MGQ , JMSL0402MTL , JMSL0402PG .

 

 
Back to Top

 


 
.