DMN2009LSS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2009LSS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 2555 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для DMN2009LSS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2009LSS даташит

 ..1. Size:145K  diodes
dmn2009lss.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2009LSS SINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case SO-8 8m @ VGS = 10V Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 9m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 12m @ VGS = 2.5V Terminals Connections See Diagram

 7.1. Size:431K  diodes
dmn2009uss.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2009USS 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max Low Gate Threshold Voltage TA = +25 C Low Input Capacitance 8m @ VGS = 10V 12.8A Fast Switching Speed 20V 9m @ VGS = 4.5V 12.1A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12m @ VGS

 8.1. Size:204K  diodes
dmn2004vk.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2004VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOT-563 Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Termin

 8.2. Size:189K  diodes
dmn2004k.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2004K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance RDS(ON) = 550(max)m @ VGS = 4.5V ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25 C Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 630mA Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 0.9 @ VGS = 1.8V 410mA ESD Protec

Другие IGBT... DMN2004K, DMN2004TK, DMN2004VK, DMN2004WK, DMN2005DLP4K, DMN2005K, DMN2005LP4K, DMN2005LPK, IRF9640, DMN2016UTS, DMN2020LSN, DMN2027LK3, DMN2027USS, DMN2028USS, DMN2040LTS, DMN2041LSD, DMN2050L