Справочник MOSFET. DMN2009LSS

 

DMN2009LSS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2009LSS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2555 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: SO8
 

 Аналог (замена) для DMN2009LSS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2009LSS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:145K  diodes
dmn2009lss.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2009LSSSINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SO-8 8m @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 9m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 12m @ VGS = 2.5V Terminals Connections: See Diagram

 7.1. Size:431K  diodes
dmn2009uss.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2009USS 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID Max BVDSS RDS(ON) Max Low Gate Threshold Voltage TA = +25C Low Input Capacitance 8m @ VGS = 10V 12.8A Fast Switching Speed 20V 9m @ VGS = 4.5V 12.1A Low Input/Output Leakage Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 12m @ VGS

 8.1. Size:204K  diodes
dmn2004vk.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2004VKDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOT-563 Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low Input Capacitance Termin

 8.2. Size:189K  diodes
dmn2004k.pdfpdf_icon

DMN2009LSS

DMN2004KN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance: RDS(ON) = 550(max)m @ VGS = 4.5V ID V(BR)DSS RDS(ON) Low Gate Threshold Voltage TA = 25C Low Input Capacitance 0.55 @ VGS = 4.5V 630mA Fast Switching Speed 20V Low Input/Output Leakage 0.9 @ VGS = 1.8V 410mA ESD Protec

Другие MOSFET... DMN2004K , DMN2004TK , DMN2004VK , DMN2004WK , DMN2005DLP4K , DMN2005K , DMN2005LP4K , DMN2005LPK , AON7403 , DMN2016UTS , DMN2020LSN , DMN2027LK3 , DMN2027USS , DMN2028USS , DMN2040LTS , DMN2041LSD , DMN2050L .

History: FDD6670S | P1350ATF | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | NCE60H10D

 

 
Back to Top

 


 
.