JMTV250P02A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTV250P02A

Маркировка: 250P02A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 13 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 14 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 191 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0192 Ohm

Тип корпуса: DFN2020-6L

Аналог (замена) для JMTV250P02A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTV250P02A даташит

 ..1. Size:398K  jiejie micro
jmtv250p02a.pdfpdf_icon

JMTV250P02A

JMTV250P02A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application -20V, -10A Load Switch R

 9.1. Size:1017K  jiejie micro
jmtv2333a.pdfpdf_icon

JMTV250P02A

JMTV2333A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications -12V, -8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:686K  jiejie micro
jmtv240n03a.pdfpdf_icon

JMTV250P02A

JMTV240N03A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 10A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:1260K  jiejie micro
jmtv200p03a.pdfpdf_icon

JMTV250P02A

JMTV200P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MosFET Features Applications -30V, -11A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTV080N02A, JMTV100N02A, JMTV120N03A, JMTV200P03A, JMTV210P02A, JMTV2305A, JMTV2333A, JMTV240N03A, AO3400A, JMTV3010A, JMTP340P03A, JMTP380N03D, JMTP400N04A, JMTP4406A, JMTP4407A, JMTP4407B, JMTP440P04A