Справочник MOSFET. JMTP340P03A

 

JMTP340P03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMTP340P03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 109 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0256 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для JMTP340P03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP340P03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1152K  jiejie micro
 jmtp340p03a.pdf pdf_icon

JMTP340P03A

JMTP340P03ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -7A Load SwitchRDS(ON)

 9.1. Size:478K  jiejie micro
 jmtp3008a.pdf pdf_icon

JMTP340P03A

JMTP3008ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Applications 30V, 15A Load SwitchRDS(ON)

 9.2. Size:352K  jiejie micro
 jmtp380n03d.pdf pdf_icon

JMTP340P03A

JMTP380N03DDescriptionJMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeatures Application 30V, 4.5A Load SwitchR

 9.3. Size:1290K  jiejie micro
 jmtp330n06d.pdf pdf_icon

JMTP340P03A

60V, 5A, 32m N-channel Power Trench MOSFETJMTP330N06DProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit 100% UIS TESTEDVDSS 60 V Halogen-free; RoHS-compliantVGS(th)_Typ 1.6 V Pb-free platingID(@VGS=10V) 5 ARDS(ON)_Typ(@VGS=10V 28 mWApplications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 32 mW Load Switch PWM Application Power Ma

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTV120N03A , JMTV200P03A , JMTV210P02A , JMTV2305A , JMTV2333A , JMTV240N03A , JMTV250P02A , JMTV3010A , IRFZ48N , JMTP380N03D , JMTP400N04A , JMTP4406A , JMTP4407A , JMTP4407B , JMTP440P04A , JMTP4435A , JMTP4953A .

History: JMTP4407B

 

 
Back to Top

 


 
.