JMTJ3401B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: JMTJ3401B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для JMTJ3401B
JMTJ3401B Datasheet (PDF)
jmtj3401b.pdf

JMTJ3401BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4A Load SwitchRDS(ON)
jmtj3401a.pdf

JMTJ3401ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4.2A Load SwitchRDS(ON)
jmtj3404a.pdf

30V, 5A, 25m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ3404AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 30 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.8 VID(@VGS=10V) 5 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 18 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 25 mW PWM Application Power ManagementDG SSOT
jmtj3400a.pdf

JMTJ3400ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 5.8A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTJ100N02A , JMTJ11DN10A , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A , IRF840 , JMTJ3404A , JMTJ3407A , JMTJ3415KL , , , , , .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTJ3415KL | JMTJ3407A | JMTJ3404A | JMTJ3401B | JMTJ3401A | JMTJ3400A | JMTJ250P02A | JMTJ2333A | JMTJ2302C | JMTJ210P02A | JMTJ11DN10A | JMTJ100N02A | JMTP9926B | JMTP9926A | JMTP9435A | JMTP850P04A
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243