JMTJ3401B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTJ3401B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 57 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm
Тип корпуса: SOT23
Аналог (замена) для JMTJ3401B
JMTJ3401B Datasheet (PDF)
jmtj3401b.pdf
JMTJ3401BDescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4A Load SwitchRDS(ON)
jmtj3401a.pdf
JMTJ3401ADescriptionJMT P-channel Enhancement Mode Power MosFETFeatures Applications -30V, -4.2A Load SwitchRDS(ON)
jmtj3404a.pdf
30V, 5A, 25m N-channel Power Trench MOSFETJMTJ3404AProduct SummaryFeatures Excellent RDS(ON) and Low Gate ChargeParametersValue Unit Halogen-free; RoHS-compliantVDSS 30 V Pb-free platingVGS(th)_Typ 1.8 VID(@VGS=10V) 5 AApplicationsRDS(ON)_Typ(@VGS=10V 18 mW Load Switch RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 25 mW PWM Application Power ManagementDG SSOT
jmtj3400a.pdf
JMTJ3400ADescriptionJMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFETFeaturesApplications 30V, 5.8A Load SwitchRDS(ON)
Другие MOSFET... JMTJ100N02A , JMTJ11DN10A , JMTJ210P02A , JMTJ2302C , JMTJ2333A , JMTJ250P02A , JMTJ3400A , JMTJ3401A , IRF840 , JMTJ3404A , JMTJ3407A , JMTJ3415KL , JMTL2301B , JMTL2301C , JMTL2301E , JMTL2302B , JMTL2302C .
History: IRFHM792TRPBF | IPP12CN10L
History: IRFHM792TRPBF | IPP12CN10L
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243






