Справочник MOSFET. DMN2027USS

 

DMN2027USS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2027USS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1149 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2027USS Datasheet (PDF)

 7.1. Size:652K  diodes
dmn2027lk3.pdfpdf_icon

DMN2027USS

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN2027LK320V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 21m @ VGS= 10V 17.0A Green component and RoHS compliant (Note 1) 20V 27m @ VGS

 8.1. Size:275K  diodes
dmn2028ufdh.pdfpdf_icon

DMN2027USS

DMN2028UFDHDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C ESD Protected Up To 2kV 20m @ VGS = 10V 6.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 22m @ VGS = 4.5V 6.5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 20V

 8.2. Size:153K  diodes
dmn2020lsn.pdfpdf_icon

DMN2027USS

DMN2020LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SC-59 Low Input Capacitance Case Material - Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low

 8.3. Size:308K  diodes
dmn2020ufcl.pdfpdf_icon

DMN2027USS

DMN2020UFCL20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 14 m @ VGS = 4.5V 9 A 20V PCB footprint of 2.56mm2 20 m @ VGS = 2.5V 7.5 A ESD Protected Gate Totall

Другие MOSFET... DMN2005DLP4K , DMN2005K , DMN2005LP4K , DMN2005LPK , DMN2009LSS , DMN2016UTS , DMN2020LSN , DMN2027LK3 , IRFP064N , DMN2028USS , DMN2040LTS , DMN2041LSD , DMN2050L , DMN2075U , DMN2100UDM , DMN2112SN , DMN2114SN .

History: AFC4516 | SLD70R900S2 | SIHG14N50D | STP50NF25 | FDU6N50TU | 2SK1053 | MMBT7002

 

 
Back to Top

 


 
.