Справочник MOSFET. DMN2028USS

 

DMN2028USS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2028USS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.8 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1000 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SO8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2028USS Datasheet (PDF)

 6.1. Size:275K  diodes
dmn2028ufdh.pdfpdf_icon

DMN2028USS

DMN2028UFDHDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C ESD Protected Up To 2kV 20m @ VGS = 10V 6.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 22m @ VGS = 4.5V 6.5A Halogen and Antimony Free. Green Device (Note 3) 20V

 8.1. Size:153K  diodes
dmn2020lsn.pdfpdf_icon

DMN2028USS

DMN2020LSNN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SC-59 Low Input Capacitance Case Material - Molded Plastic, "Green" Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Fast Switching Speed Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020 Low

 8.2. Size:652K  diodes
dmn2027lk3.pdfpdf_icon

DMN2028USS

A Product Line ofDiodes IncorporatedDMN2027LK320V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Product Summary Features and Benefits Low on-resistance ID V(BR)DSS RDS(on) Fast switching speed TA = 25C Low gate drive 21m @ VGS= 10V 17.0A Green component and RoHS compliant (Note 1) 20V 27m @ VGS

 8.3. Size:308K  diodes
dmn2020ufcl.pdfpdf_icon

DMN2028USS

DMN2020UFCL20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Typical off board profile of 0.5mm - ideally suited for thin ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C applications Low RDS(ON) minimizes conduction losses 14 m @ VGS = 4.5V 9 A 20V PCB footprint of 2.56mm2 20 m @ VGS = 2.5V 7.5 A ESD Protected Gate Totall

Другие MOSFET... DMN2005K , DMN2005LP4K , DMN2005LPK , DMN2009LSS , DMN2016UTS , DMN2020LSN , DMN2027LK3 , DMN2027USS , IRF1405 , DMN2040LTS , DMN2041LSD , DMN2050L , DMN2075U , DMN2100UDM , DMN2112SN , DMN2114SN , DMN2170U .

History: PSMN7R8-120ES | MC11N005 | DMP2004VK | JCS5N50CT | NCEP026N10F | NVMFS5C628N | SI7913DN

 

 
Back to Top

 


 
.