JMTP230C04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP230C04D

Маркировка: 230C04D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 67 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP230C04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP230C04D даташит

 ..1. Size:514K  jiejie micro
jmtp230c04d.pdfpdf_icon

JMTP230C04D

JMTP230C04D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 40V, 8A Battery Protection R

 9.1. Size:660K  jiejie micro
jmtp240c03d.pdfpdf_icon

JMTP230C04D

JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 9.2. Size:733K  jiejie micro
jmtp240n03d.pdfpdf_icon

JMTP230C04D

JMTP240N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 9A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:686K  jiejie micro
jmtp260n03d.pdfpdf_icon

JMTP230C04D

JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 8A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTL3134KT7, JMTP120C03D, JMTP130N04A, JMTP130P04A, JMTP160P03D, JMTP170C04D, JMTP170N06A, JMTP170N06D, IRF9540, JMTP240C03D, JMTP240N03D, JMTP250P03A, JMTP260N03D, JMTP3008A, JMTP3010D, JMTP330N06D, JMSL0601AG