DMN2040LTS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMN2040LTS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для DMN2040LTS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2040LTS даташит

 ..1. Size:151K  diodes
 dmn2040lts.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2040LTS DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case TSSOP-8L Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity Level 1 per J-S

 6.1. Size:153K  diodes
 dmn2040lsd.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2040LSD DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case SOP-8L Low On-Resistance Case Material Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 26m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity Level 1 per J-STD-020D

 8.1. Size:469K  diodes
 dmn2046u.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2046U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 72m @ VGS = 4.5V 3.4A Low Input/Output Leakage 20V 110m @ VGS = 2.5V 2.7A ESD protected gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Hal

 8.2. Size:398K  diodes
 dmn2041ufdb.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2041UFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25 C 40m @ VGS = 4.5V 4.7A Low Profile, 0.6mm Max Height N-Channel 20V 3.7A 65m @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and An

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMN2005LP4K, DMN2005LPK, DMN2009LSS, DMN2016UTS, DMN2020LSN, DMN2027LK3, DMN2027USS, DMN2028USS, MMIS60R580P, DMN2041LSD, DMN2050L, DMN2075U, DMN2100UDM, DMN2112SN, DMN2114SN, DMN2170U, DMN2215UDM