Справочник MOSFET. DMN2040LTS

 

DMN2040LTS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN2040LTS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.7 A
   Cossⓘ - Выходная емкость: 570 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.026 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN2040LTS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  diodes
 dmn2040lts.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2040LTSDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: TSSOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 Low Gate Threshold Voltage Moisture Sensitivity: Level 1 per J-S

 6.1. Size:153K  diodes
 dmn2040lsd.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2040LSDDUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Dual N-Channel MOSFET Case: SOP-8L Low On-Resistance Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 26m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 8.1. Size:469K  diodes
 dmn2046u.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2046U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID max V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25C Low Input Capacitance Fast Switching Speed 72m @ VGS = 4.5V 3.4A Low Input/Output Leakage 20V 110m @ VGS = 2.5V 2.7A ESD protected gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Hal

 8.2. Size:398K  diodes
 dmn2041ufdb.pdf pdf_icon

DMN2040LTS

DMN2041UFDB DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID MAX Device V(BR)DSS RDS(ON) max Low Input Capacitance TA = +25C 40m @ VGS = 4.5V 4.7A Low Profile, 0.6mm Max Height N-Channel 20V 3.7A 65m @ VGS = 2.5V ESD Protected Gate Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and An

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: AP9938GEO | NTHD5904NT1 | IAUC100N10S5N040 | STU601S | SM1A15PSF | KDB3672 | R6520KNJ

 

 
Back to Top

 


 
.