JMTP240N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP240N03D

Маркировка: 240N03D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 10 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 69 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0202 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP240N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP240N03D даташит

 ..1. Size:733K  jiejie micro
jmtp240n03d.pdfpdf_icon

JMTP240N03D

JMTP240N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 9A Load Switch RDS(ON)

 7.1. Size:660K  jiejie micro
jmtp240c03d.pdfpdf_icon

JMTP240N03D

JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 9.1. Size:686K  jiejie micro
jmtp260n03d.pdfpdf_icon

JMTP240N03D

JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 8A Load Switch RDS(ON)

 9.2. Size:514K  jiejie micro
jmtp230c04d.pdfpdf_icon

JMTP240N03D

JMTP230C04D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 40V, 8A Battery Protection R

Другие IGBT... JMTP130N04A, JMTP130P04A, JMTP160P03D, JMTP170C04D, JMTP170N06A, JMTP170N06D, JMTP230C04D, JMTP240C03D, 2SK3878, JMTP250P03A, JMTP260N03D, JMTP3008A, JMTP3010D, JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, JMSL0601BG