JMTP250P03A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTP250P03A

Маркировка: 250P03A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 52 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для JMTP250P03A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTP250P03A даташит

 ..1. Size:340K  jiejie micro
jmtp250p03a.pdfpdf_icon

JMTP250P03A

JMTP250P03A Description JMT P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Application V =-30V, I =-9A PWM Applications DS D R

 9.1. Size:660K  jiejie micro
jmtp240c03d.pdfpdf_icon

JMTP250P03A

JMTP240C03D Description JMT N And P-Channel Enhancement Mode MOSFET Features Application N-Channel 30V, 9A Battery Protection R

 9.2. Size:733K  jiejie micro
jmtp240n03d.pdfpdf_icon

JMTP250P03A

JMTP240N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 9A Load Switch RDS(ON)

 9.3. Size:686K  jiejie micro
jmtp260n03d.pdfpdf_icon

JMTP250P03A

JMTP260N03D Description JMT Dual N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 30V, 8A Load Switch RDS(ON)

Другие IGBT... JMTP130P04A, JMTP160P03D, JMTP170C04D, JMTP170N06A, JMTP170N06D, JMTP230C04D, JMTP240C03D, JMTP240N03D, STP75NF75, JMTP260N03D, JMTP3008A, JMTP3010D, JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, JMSL0601BG, JMSL0601BGQ