JMSL0601BG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0601BG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 226 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1429 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0601BG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0601BG даташит

 ..1. Size:397K  jiejie micro
 jmsl0601bg.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601BG 60V 1.25m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS 60 V VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 226 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.25 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.8 m Applications Power Mana

 0.1. Size:379K  jiejie micro
 jmsl0601bgq.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601BGQ 60V 1.25m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 252 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.25 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q1

 6.1. Size:347K  jiejie micro
 jmsl0601ag.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601AG 60V 0.90m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 275 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

 6.2. Size:413K  jiejie micro
 jmsl0601agq.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601AGQ 60V 0.90m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 315 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP240N03D, JMTP250P03A, JMTP260N03D, JMTP3008A, JMTP3010D, JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, IRFP260, JMSL0601BGQ, JMSL0601TG, JMSL0602AG, JMSL0602AGQ, JMSL0602MG, JMSL0602PG, JMSL0603AK, JMSL0603BG