JMSL0601BG - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL0601BG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0601BG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 226 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 14.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1429 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL0601BG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0601BG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:397K  jiejie micro
 jmsl0601bg.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601BG60V 1.25m N-Ch Power MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON)Parameter Value Unit Low Gate Charge VDS60 V VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 226 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.25 m Halogen-free and RoHS-compliant RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.8 mApplications Power Mana

 0.1. Size:379K  jiejie micro
 jmsl0601bgq.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601BGQ60V 1.25m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultralow ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 252 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.25 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.8 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q1

 6.1. Size:347K  jiejie micro
 jmsl0601ag.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601AG60V 0.90m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 275 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Mana

 6.2. Size:413K  jiejie micro
 jmsl0601agq.pdf pdf_icon

JMSL0601BG

JMSL0601AGQ60V 0.90m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.5 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 315 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)0.90 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)1.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMTP240N03D , JMTP250P03A , JMTP260N03D , JMTP3008A , JMTP3010D , JMTP330N06D , JMSL0601AG , JMSL0601AGQ , IRFP260 , JMSL0601BGQ , JMSL0601TG , JMSL0602AG , JMSL0602AGQ , JMSL0602MG , JMSL0602PG , JMSL0603AK , JMSL0603BG .

History: STFW3N150 | IRFB3407Z | BSC0923NDI | JMSL0603BG | JMSL0602MG | BSC500N20NS3G | RF1S70N06

 

 
Back to Top

 


 
.