JMSL0602MG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0602MG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 257 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2504 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0013 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0602MG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0602MG даташит

 ..1. Size:1192K  jiejie micro
 jmsl0602mg.pdf pdf_icon

JMSL0602MG

60V, 257A, 1.3m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0602MG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.4 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 257 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.0 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 1.3 mW Applications Load Switch PWM Application Po

 6.1. Size:347K  jiejie micro
 jmsl0602ag.pdf pdf_icon

JMSL0602MG

JMSL0602AG 60V 1.8m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 154 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.4 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Manage

 6.2. Size:1273K  jiejie micro
 jmsl0602pg.pdf pdf_icon

JMSL0602MG

60V, 209A, 2.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0602PG Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 60 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 209 A Pb-free plating RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 1.7 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 2.1 mW Applications Load Switch PW

 6.3. Size:380K  jiejie micro
 jmsl0602agq.pdf pdf_icon

JMSL0602MG

JMSL0602AGQ 60V 1.8m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra low ON-resistance, RDS(ON) VDS 60 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.7 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 172 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.8 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.4 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTP330N06D, JMSL0601AG, JMSL0601AGQ, JMSL0601BG, JMSL0601BGQ, JMSL0601TG, JMSL0602AG, JMSL0602AGQ, 13N50, JMSL0602PG, JMSL0603AK, JMSL0603BG, JMSL0603BGQ, JMSL0603PG, JMSL0604AG, JMSL0604AGQ, JMTC018N03A