JMSL0403AG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL0403AG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 63 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 109 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 927 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0031 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для JMSL0403AG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0403AG даташит

 ..1. Size:320K  jiejie micro
 jmsl0403ag.pdf pdf_icon

JMSL0403AG

 0.1. Size:571K  jiejie micro
 jmsl0403agq.pdf pdf_icon

JMSL0403AG

JMSL0403AGQ 40V 2.5mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 40 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.5 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 128 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 2.5 mW RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 3.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualifi

 5.1. Size:285K  jiejie micro
 jmsl0403au.pdf pdf_icon

JMSL0403AG

 6.1. Size:1229K  jiejie micro
 jmsl0403pgq.pdf pdf_icon

JMSL0403AG

40V, 150A, 3.0m N-channel Power SGT MOSFET JMSL0403PGQ Product Summary Features Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) Parameters Value Unit Low Gate Charge VDSS 40 V 100% UIS Tested VGS(th)_Typ 1.6 V 100% Vds Tested ID(@VGS=10V) 150 A Halogen-free; RoHS-compliant RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 2.2 mW AEC-Q101 Qualified RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 3.0 mW Applications

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMTQ3010D, JMTQ320N10A, JMTQ3400D, JMTQ380C03D, JMTQ4407A, JMTQ440P04A, JMTQ60N04B, JMTQ90N02A, IRF730, JMSL0403AGQ, JMSL0403AU, JMSL0403PG, JMSL0403PGQ, JMSL0403PK, JMSL0403PU, JMSL04055GQ, JMSL04055UQ