JMSL1010AK - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL1010AK - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1010AK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JMSL1010AK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010AK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:326K  jiejie micro
 jmsl1010ak.pdf pdf_icon

JMSL1010AK

JMSL1010AK100V 8.3m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.3 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.8 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

 0.1. Size:348K  jiejie micro
 jmsl1010akq.pdf pdf_icon

JMSL1010AK

JMSL1010AKQ100V 8.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.1. Size:402K  jiejie micro
 jmsl1010agq.pdf pdf_icon

JMSL1010AK

JMSL1010AGQ100V 8.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1010ag.pdf pdf_icon

JMSL1010AK

JMSL1010AG100V 8.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0406AGD , JMSL0406AGDQ , JMSL0406AGQ , JMSL0406AK , JMSL0406AKQ , JMSL1010AC , JMSL1010AG , JMSL1010AGQ , AON6414A , JMSL1010AKQ , JMSL1010AP , JMSL1010AU , JMSL1010AUQ , JMSL1010PC , JMSL1010PE , JMSL1010PG , JMSL1010PGD .

History: VTI640F

 

 
Back to Top

 


 
.