JMSL1010AKQ datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1010AKQ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMSL1010AKQ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010AKQ даташит

 ..1. Size:348K  jiejie micro
 jmsl1010akq.pdf pdf_icon

JMSL1010AKQ

JMSL1010AKQ 100V 8.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 86 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.3 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 4.1. Size:326K  jiejie micro
 jmsl1010ak.pdf pdf_icon

JMSL1010AKQ

JMSL1010AK 100V 8.3m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.3 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.8 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Po

 5.1. Size:402K  jiejie micro
 jmsl1010agq.pdf pdf_icon

JMSL1010AKQ

JMSL1010AGQ 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1010ag.pdf pdf_icon

JMSL1010AKQ

JMSL1010AG 100V 8.0m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JMSL0406AGDQ, JMSL0406AGQ, JMSL0406AK, JMSL0406AKQ, JMSL1010AC, JMSL1010AG, JMSL1010AGQ, JMSL1010AK, IRF3710, JMSL1010AP, JMSL1010AU, JMSL1010AUQ, JMSL1010PC, JMSL1010PE, JMSL1010PG, JMSL1010PGD, JMSL1010PGQ