JMSL1010AU - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL1010AU - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL1010AU
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 38 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 335 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для JMSL1010AU

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010AU Datasheet (PDF)

 ..1. Size:335K  jiejie micro
 jmsl1010au.pdf pdf_icon

JMSL1010AU

JMSL1010AU100V 9.6m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 38 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)9.6 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)12.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Powe

 0.1. Size:423K  jiejie micro
 jmsl1010auq.pdf pdf_icon

JMSL1010AU

JMSL1010AUQ100V 8.5m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 46 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.5 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101

 5.1. Size:402K  jiejie micro
 jmsl1010agq.pdf pdf_icon

JMSL1010AU

JMSL1010AGQ100V 8.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low ON-resistance, RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge, Qg VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS and Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 68 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Halogen-free and RoHS-compliant AEC-Q101 Qualified for Automotive Applications

 5.2. Size:325K  jiejie micro
 jmsl1010ag.pdf pdf_icon

JMSL1010AU

JMSL1010AG100V 8.0m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.9 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 58 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)8.0 m Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)10.5 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Po

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... JMSL0406AK , JMSL0406AKQ , JMSL1010AC , JMSL1010AG , JMSL1010AGQ , JMSL1010AK , JMSL1010AKQ , JMSL1010AP , IRFB4110 , JMSL1010AUQ , JMSL1010PC , JMSL1010PE , JMSL1010PG , JMSL1010PGD , JMSL1010PGQ , JMSL1010PGS , JMSL1010PK .

History: IXTP88N085T | IRLMS1902PBF

 

 
Back to Top

 


 
.