JMSL1010PK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMSL1010PK

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 101 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 731 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0084 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JMSL1010PK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL1010PK даташит

 ..1. Size:1291K  jiejie micro
jmsl1010pk.pdfpdf_icon

JMSL1010PK

100V, 80A, 8.1m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1010PK Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.6 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 80 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 6.4 mW RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 8.1 mW Applications Load Switch PWM Application Pow

 0.1. Size:1194K  jiejie micro
jmsl1010pks.pdfpdf_icon

JMSL1010PK

100V, 49A, 11m N-channel Power SGT MOSFET JMSL1010PKS Product Summary Features Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge Parameters Value Unit 100% UIS Tested VDSS 100 V 100% Vds Tested VGS(th)_Typ 1.7 V Halogen-free; RoHS-compliant ID(@VGS=10V) 49 A RDS(ON)_Typ(@VGS=10V 8 mW Applications RDS(ON)_Typ(@VGS=4.5V 11 mW Load Switch PWM Application Power

 5.1. Size:523K  jiejie micro
jmsl1010pe.pdfpdf_icon

JMSL1010PK

JMSL1010PE 100V 6.3mW N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 112 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) Pb-free Lead Plating 6.3 mW Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Roboti

 5.2. Size:336K  jiejie micro
jmsl1010pg.pdfpdf_icon

JMSL1010PK

JMSL1010PG 100V 6.4m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 100 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 2.0 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 74 A RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 6.4 m Pb-free Lead Plating Halogen-free and RoHS-compliant Applications Motor Driving in Power Tool, E-vehicle, Ro

Другие IGBT... JMSL1010AU, JMSL1010AUQ, JMSL1010PC, JMSL1010PE, JMSL1010PG, JMSL1010PGD, JMSL1010PGQ, JMSL1010PGS, IRF9540, JMSL1010PKS, JMSL1010PP, JMSL1010PU, JMSL10A13K, JMSL10A13L, JMSL10A13P, JMSL1509PG, JMTD2N7002KS