JMTD2N7002KS - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JMTD2N7002KS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
Тип корпуса: DFN1006-3
Аналог (замена) для JMTD2N7002KS
JMTD2N7002KS Datasheet (PDF)
jmtd2n7002ks.pdf

JMTD2N7002KSDescriptionJMT N-channel MOSFETFeatures Application V =60V, I =0.2A Battery Operated SystemsDS DR
Другие MOSFET... JMSL1010PK , JMSL1010PKS , JMSL1010PP , JMSL1010PU , JMSL10A13K , JMSL10A13L , JMSL10A13P , JMSL1509PG , AO3400 , JMTD3134K , JMTE018N03A , JMTE025N04D , JMTE035N04A , JMTE035N06D , JMTE060N06A , JMTE068N07A , JMTE3002B .
History: JMTE3003A | JMTE068N07A
History: JMTE3003A | JMTE068N07A



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: P80NF70 | MPT65N08S | MPT65N08 | MPT045N08S | MPT045N08P | MPT042N10S | MPT042N10P | MPT037N08S | MPT037N08P | MPT028N10S | MPG55N06P | MPG50N06P | MPG40P10P | MPG30P10P | MPG160N04P | MPS100N06
Popular searches
aoe6936 datasheet | g40t60an3h datasheet | j5027-r datasheet | transistor a1015 datasheet | bf199 transistor equivalent | bu801 | c8550 transistor datasheet | mj21194 transistor datasheet