JMTD2N7002KS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JMTD2N7002KS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.15 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 11 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: DFN1006-3

Аналог (замена) для JMTD2N7002KS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMTD2N7002KS даташит

 ..1. Size:309K  jiejie micro
 jmtd2n7002ks.pdf pdf_icon

JMTD2N7002KS

JMTD2N7002KS Description JMT N-channel MOSFET Features Application V =60V, I =0.2A Battery Operated Systems DS D R

Другие IGBT... JMSL1010PK, JMSL1010PKS, JMSL1010PP, JMSL1010PU, JMSL10A13K, JMSL10A13L, JMSL10A13P, JMSL1509PG, AO3401, JMTD3134K, JMTE018N03A, JMTE025N04D, JMTE035N04A, JMTE035N06D, JMTE060N06A, JMTE068N07A, JMTE3002B